碳化硅五大烧结工艺的介绍

具有高硬度、高熔点、高耐磨性和耐腐蚀性，以及优良的抗氧化性、高温强度、化学稳定性、抗热震性、导热性能和气密性，具有广泛的应用。那么下面就跟着小编一起来看看碳化硅制品的五大烧结工艺是那五类吧。

1、无压烧结

碳化硅的无压烧结工艺可分为固相烧结和液相烧结两种。

固相烧结的主要缺点为：需要较高的烧结温度，对原材料的纯度要求较高，并且烧结体断裂韧性较低，有较强的裂纹强度敏感性，在结构上表现为晶粒粗大且均匀性差，断裂模式为典型的穿晶断裂。近年来，国内外对碳化硅陶瓷材料的研究多集中在液相烧结上。

液相烧结的实现是以一定数量的多元低共熔氧化物为烧结助剂，如Y2O3的二元、三元助剂都能使SiC及其复合材料呈现液相烧结，在较低温度下实现材料致密化，同时由于晶界液相的引入和独特的界面结合强度的弱化，陶瓷材料的断裂方式转变为沿晶断裂模式，从而使陶瓷材料的断裂韧性显著提高。

2、反应烧结

反应烧结法制备碳化硅工艺是在碳化硅粉料中预混入适量含碳物质，利用高温使碳与碳化硅粉料中残余硅反应合成新的碳化硅，从而形成致密结构的碳化硅陶瓷。

3、热压烧结

热压烧结是把碳化硅粉末置于模具中，在加温的同时施加20~50MPa的轴向压力，这样有助于增大颗粒之间的接触、扩散和流动等过程，加快材料烧结过程中的重排和致密化。

4、微波烧结

相对于传统烧结工艺，微波烧结是利用微波电磁场中材料的介质损耗使材料整体加热至烧结温度而实现烧结和致密化。与常规烧结方式相比，微波烧结具有很多优点，如烧结温度低、加热速度快、获得的材料致密性好等，同时微波烧结加速了材料的传质过程，从而能获得细晶粒材料。

5、重结晶烧结

重结晶SiC陶瓷材料是不同粒径的SiC颗粒以一定比列级配后成型为素坯，素坯中细颗粒可均匀分布于粗颗粒之间的孔隙中，然后在2100℃以上的高温及一定流量的保护气氛下，SiC细颗粒逐渐蒸发后在粗颗粒接触点处凝聚淀析，直到细颗粒完全消失。这种蒸发-凝聚机理作用的结果，使得在颗粒的颈部形成新的晶界，从而造成细颗粒被迁移，形成大颗粒之间的连桥结构及具有一定气孔率的烧结体。