电子行业的高速发展，让很多的配件的精密度也不断地提高，例如硅片、硅料等等，那么硅料该如何清洗从而将氧化膜去除，硅料的清洗，其目的是使硅料表面清洁无杂质污染，从而保证纯度，保证整个电池生产中硅料的质量，避免污染物影响产品质量。 根据污染物产生的原因, 大致可将它们分为有机物杂质、金属污染物、颗粒三类。 (1) 颗粒: 硅粉、氮化硅粉、灰尘、细砂。 (2) 有机物杂质: 它在硅料上以多种方式存在, 如人的皮肤油脂、防锈油、润滑油、松香、蜡等。这些物质通常都会对加工进程带来不良影响。 (3) 金属污染物: 它在硅料上以范德华引力、共价键以及电子转移等三种表面形式存在。对硅锭的少子寿命产生很大的影响，少子寿命降低。 (4)自然氧化膜：硅材料表面在自然环境中，表面的氧化。 在传统的RCA清洗法中SC－1主要用于清洗硅片表面的粒子，SC-2主要用于清洗硅片表面的金属沾污，而DHF用于去除氧化层，SPM用于去除硅片表面的有机沾污。 SC-1清洗 SC-1清洗液由NH4OH、H2O2和H2O组成，由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜（SiO2），呈亲水性，硅表面和粒子之间可用清洗液浸透。由于硅表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。在NH4OH腐蚀硅表面的同时，H2O2又在氧化硅表面形成新的氧化膜。 在规模生产中，一般采用HF+HNO3 作为腐蚀液与硅材料发生化学反应。为了降低剥离层厚度，对于反应温度、时间的控制非常关键。对于块状料，由于其形状不规则且处理过程互相堆叠，增加了清洗及干燥的难度；对腐蚀槽溶液降温能有效控制反应速度、降低材料损失并可以获得更好的表面质量。通过QDR、阶梯溢流、加热超声的依次水洗，可以将残留酸液去除。
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